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2SK1859-E 零件图片（仅供参考）

2SK1859-E

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2SK1859-E 规格参数

型号:2SK1859-E
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:TO-3P
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:980 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3P
封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
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2SK1859-E 基本参数：

电子零件型号：2SK1859-E
原始制造厂商：Intersil（已被瑞萨电子RENESAS收购）
技术标准参数：MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询2SK1859-E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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