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H5N2305P-E 零件图片(仅供参考)

H5N2305P-E
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H5N2305P-E 规格参数

  • 型号:H5N2305P-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:TO-3PFM
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):230 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):700 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):105 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):60W(Tc)
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-3PFM
  • 封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
  • H5N2305P-E,Intersil产品一站式供应商。
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H5N2305P-E 基本参数:

  • 电子零件型号:H5N2305P-E
  • 原始制造厂商:Intersil(已被瑞萨电子RENESAS收购)
  • 技术标准参数:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询H5N2305P-E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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