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H5N2521FN-E#T2 零件图片（仅供参考）

H5N2521FN-E#T2
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H5N2521FN-E#T2 规格参数

  • 型号:H5N2521FN-E#T2
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:TO-220FN
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:20W（Ta）
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220FN
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • H5N2521FN-E#T2，Intersil产品一站式供应商。
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H5N2521FN-E#T2 基本参数：

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