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NE3517S03-T1C-A 零件图片（仅供参考）

NE3517S03-T1C-A
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NE3517S03-T1C-A 规格参数

  • Renesas瑞萨完整型号: NE3517S03-T1C-A
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 功能总体简述: DISCRETE RF FET
  • 系列: -
  • 晶体管类型: HFET
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
  • 频率: 20GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
  • 电压 - 测试: 2V
  • 额定电流: 15mA
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: 0.7dB
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
  • 电流 - 测试: 10mA
  • 功率 - 输出: -
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: 4V
  • 封装/外壳: 4-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装:
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NE3517S03-T1C-A 基本参数：

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