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NP160N04TDG-E1-AY 零件图片（仅供参考）

NP160N04TDG-E1-AY
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NP160N04TDG-E1-AY 规格参数

  • 型号:NP160N04TDG-E1-AY
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:TO-263-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:270 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15750 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），220W（Tc）
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263-7
  • 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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NP160N04TDG-E1-AY 基本参数：

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