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NP80N04NDG-S18-AY 零件图片(仅供参考)

NP80N04NDG-S18-AY
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NP80N04NDG-S18-AY 规格参数

  • 型号:NP80N04NDG-S18-AY
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:TO-262
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO262
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.8 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):135 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6900 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.8W(Ta),115W(Tc)
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-262
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
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NP80N04NDG-S18-AY 基本参数:

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