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NP82N06PDG-E1-AY 零件图片（仅供参考）

NP82N06PDG-E1-AY
Intersil 订单到达，马上发货

NP82N06PDG-E1-AY 规格参数

  • Renesas瑞萨完整型号：NP82N06PDG-E1-AY
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：82A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.7 毫欧 @ 41A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：106nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：1.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：TO-263
  • NP82N06PDG-E1-AY，Intersil产品一站式供应商。
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NP82N06PDG-E1-AY 基本参数：

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